Samsung запустили производство нового чипа памяти eUFS 2.1 емкостью в 1 ТБ

01.02.2019
Компания Samsung объявила о начале массового производства встраиваемого чипа eUFS 2.1 (embedded Universal Flash Storage) для мобильных устройств ёмкостью в 1 ТБ. Так же известно, что данную новинку получит будущий флагман от Samsung – Galaxy S10+.



Для производства UFS 2.1 компания использует 16 слоев 5-гигабитной Flash-памями V-NAND. Занимаемое новым флэш-накопителем место будет не больше, чем у прошлогодних модулей на 512 ГБ — 11.5х13 мм. Благодаря таким флэш-накопителям microSD-карты становятся в принципе не нужны.



Так же новинка от Samsung обладает огромной скоростью: 260 МБ/с при записи и 1000 МБ/с при чтении. Согласно словам производителя, это в 2 раза быстрее, чем у 2.5” SATA SSD. С eUFS вы сможете снимать на камеру смартфона видео со скоростью 960 кадров/сек.

Свежие обзоры

Ищете продукцию одного бренда?